杭州富芯半导体有限公司陈然获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件传输装置及其检测设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223798655U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423106611.2，技术领域涉及：H10P72/30；该实用新型一种半导体器件传输装置及其检测设备是由陈然设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件传输装置及其检测设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件传输装置及其检测设备，包括腔体、清洁装置和检测装置；所述清洁装置包括静电吸附装置、第一管道和真空发生装置，所述静电吸附装置可移动地设置在所述腔体内的底部，所述真空发生装置通过所述第一管道与所述静电吸附装置连接，以将附着在所述静电吸附装置的污染物排出；所述检测装置设置于所述腔体内的第一预设高度处，所述第一预设高度与所述静电吸附装置的吸附端口的高度一致。本实用新型能够在半导体器件传输装置不停机的状态下自动吸附传输路径中的污染物，并对污染物进行含量检测和清除，有利于提高半导体器件传输装置的清洁效率，降低生产成本。
本实用新型一种半导体器件传输装置及其检测设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件传输装置的检测设备，其特征在于，包括腔体、清洁装置和检测装置； 所述腔体用于容置所述半导体器件传输装置的传输设备； 所述清洁装置包括静电吸附装置、第一管道和真空发生装置，所述静电吸附装置可移动地设置在所述腔体内的底部，所述真空发生装置通过所述第一管道与所述静电吸附装置连接，以将附着在所述静电吸附装置的污染物排出； 所述检测装置设置于所述腔体内的第一预设高度处，所述第一预设高度与所述静电吸附装置的吸附端口的高度一致。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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