福建中科光芯光电科技有限公司杨重英获国家专利权
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龙图腾网获悉福建中科光芯光电科技有限公司申请的专利选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223797726U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520319699.1，技术领域涉及：H01S5/10；该实用新型选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片是由杨重英;苏辉设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提出选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片，能用于选择性生长工序制备的高速电吸收调制激光器，芯片包括衬底，还包括在选择性生长工序过程按衬底上掩膜层的预设形状来调整生长厚度的buffer层、EAM有源区和光栅层；芯片的有源区按选择性生长工序之前的衬底上掩膜层的预设形状来划分为一侧用于产生激光的LD区域和另一侧用于对激光进行调制的EAM区域；LD区域处包括光栅层和光栅层处的光栅，光栅层上顺序覆有上包层、接触层、第一金属电极，在LD区域和EAM区域的交界处设有隔离区，衬底底面处设有第二金属电极；本产品不需要多次外延生长，有效的降低了成本；同时没有存在对接界面，可以有效提高材料质量，避免对接界面缺陷，提高芯片的可靠性。
本实用新型选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片在权利要求书中公布了：1.选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片，其特征在于：所述芯片包括衬底，还包括在选择性生长工序过程按衬底上掩膜层的预设形状来调整生长厚度的buffer层、EAM有源区和光栅层；芯片的有源区按选择性生长工序之前的衬底上掩膜层的预设形状来划分为一侧用于产生激光的LD区域和另一侧用于对激光进行调制的EAM区域；LD区域处包括光栅层和光栅层处的光栅，光栅层上顺序覆有上包层、接触层、第一金属电极，在LD区域和EAM区域的交界处设有隔离区，衬底底面处设有第二金属电极。
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