买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利一种体声波传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111526755.1，技术领域涉及：G01D5/48；该发明授权一种体声波传感器及其制造方法是由王宇航;赖志国;杨清华设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种体声波传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种体声波传感器的制造方法，包括：提供衬底并在该衬底上形成第一布拉格反射层；在所述第一布拉格反射层上依次形成下电极、压电层以及上电极，所述上电极、所述压电层、所述下电极以及所述第一布拉格反射层在传感器厚度方向上形成有重叠区域，所述下电极包括下电极主体部以及下电极框架部，所述下电极框架部形成在所述下电极主体部上且位于所述重叠区域的边缘处，其中，所述下电极框架部包括第一凸起部和或第一凹陷部；在所述上电极上形成第二布拉格反射层。本发明还提供一种体声波传感器。本发明可以提升器件的Q值、灵敏度以及简化制造工艺。

本发明授权一种体声波传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波传感器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括： 提供衬底并在该衬底上形成第一布拉格反射层； 在所述第一布拉格反射层上依次形成下电极、压电层以及上电极，所述上电极、所述压电层、所述下电极以及所述第一布拉格反射层在传感器厚度方向上形成有重叠区域，所述下电极包括下电极主体部以及下电极框架部，所述下电极框架部形成在所述下电极主体部上且位于所述重叠区域的边缘处，其中，所述下电极框架部包括第一凸起部和或第一凹陷部； 在所述上电极上形成第二布拉格反射层； 在所述第二布拉格反射层上形成敏感膜，敏感膜用于感受物理、化学、生物信息并将其转变为电信息； 对所述压电层上表面位于待形成的上电极连接部下方的第三区域进行刻蚀以形成凹槽，并在该凹槽内形成上表面高于所述压电层上表面的材料层；对所述材料层进行加热处理以在所述上电极连接部和所述材料层之间形成空气隙； 所述上电极、压电层、下电极以及第一布拉格反射层在器件厚度方向上的重叠区域具有第一声阻抗，第一凹陷部具有第二声阻抗，第一凸起部具有第三声阻抗，所述重叠区域的第一声阻抗与第一凹陷部的第二声阻抗以及第一凸起部的第三声阻抗不匹配，将声波反射回体声波传感器的重叠区域内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州汉天下电子有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。