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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利一种沟槽栅功率器件及硅化物栅极制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111485978.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种沟槽栅功率器件及硅化物栅极制造方法是由曾大杰设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅功率器件及硅化物栅极制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅功率器件以及硅化物栅极制造方法，其包括器件主体、正面金属层、金属化漏极以及多个沟槽栅，其中：器件主体的顶端覆盖正面金属层，器件主体的顶端凹设多个栅极沟槽，各相邻的栅极沟槽之间的区域为半导体平台区，半导体平台区与金属源极连接；每个沟槽栅包括栅介质层和栅导电层，栅导电层位于栅极沟槽内，且栅导电层的顶部低于半导体平台区的上表面，栅极沟槽内高于栅导电层的部分形成介质槽；栅导电层的顶部覆盖有第一介质，第一介质与金属栅极连接，第一介质与栅导电层结合处形成扩散层。本发明提供的沟槽栅功率器件以及硅化物栅极制造方法，可以减小沟槽栅器件的栅极方块电阻。

本发明授权一种沟槽栅功率器件及硅化物栅极制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅功率器件，其特征在于，包括：器件主体、正面金属层、金属化漏极以及多个沟槽栅，其中： 所述器件主体的顶端覆盖有所述正面金属层，所述正面金属层包括金属栅极和金属源极，所述器件主体的底端与所述金属化漏极连接，所述器件主体的顶端凹设多个栅极沟槽，各相邻的所述栅极沟槽之间的区域为半导体平台区，所述半导体平台区与所述金属源极连接，所述半导体平台区包括掺杂类型不同的多个第一重掺杂半区以及多个第二重掺杂半区，所述栅极沟槽的两侧分别设置一个所述第一重掺杂半区，每个所述第二重掺杂半区位于对应相邻两个所述第一重掺杂半区之间； 每个所述沟槽栅包括栅介质层和栅导电层，所述栅导电层位于所述栅极沟槽内，且所述栅导电层的顶部低于所述半导体平台区的上表面，所述栅极沟槽内高于所述栅导电层的部分形成介质槽，所述栅介质层填充于所述栅极沟槽与所述栅导电层之间的间隙； 所述栅导电层的顶部覆盖有第一介质，所述第一介质与所述金属栅极连接，所述第一介质与所述栅导电层结合处形成扩散层，以及所述第一介质与所述介质槽侧壁间形成隔断空隙； 所述栅导电层为多晶硅栅，所述扩散层的电阻率介于多晶硅栅与金属栅极之间。

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