武汉华星光电半导体显示技术有限公司吴咏波获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116096184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211548855.9,技术领域涉及:H10K59/50;该发明授权显示面板是由吴咏波设计研发完成,并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种显示面板,该显示面板包括:衬底;第一半导体层,设置在衬底一侧,第一半导体层包括设置在非显示区的感光半导体,感光半导体包括第一半导体区域、第二半导体区域以及内建电场区域,内建电场区域设置在第一半导体区域和第二半导体区域之间;彩膜层,设置在第一半导体层远离衬底一侧,彩膜层包括遮光部和色阻部,遮光部在非显示区设置有与感光半导体对应的第一开口,色阻部包括设置在第一开口的第一色阻结构,第一色阻结构至少与内建电场区域重叠设置。本申请通过穿过色阻部和内建电场区域的目标光线确定彩膜层的透过率的变化,能够对彩膜层特性进行实时监控,提高产品的良率。
本发明授权显示面板在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,包括显示区和非显示区,所述显示面板应用于显示装置,所述显示装置还包括检测模块,所述检测模块用于检测目标光线在内建电场区域所形成的光生漏电流的大小,其特征在于,所述显示面板包括: 衬底; 第一半导体层,设置在所述衬底一侧,所述第一半导体层包括设置在所述非显示区的感光半导体,所述感光半导体包括第一半导体区域、第二半导体区域以及所述内建电场区域,所述内建电场区域设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间,所述第一半导体区域为P型半导体,所述第二半导体区域为N型半导体,所述第一半导体层中形成PN结;以及 彩膜层,设置在所述第一半导体层远离所述衬底一侧,所述彩膜层包括遮光部和色阻部,所述遮光部在所述非显示区设置有与所述感光半导体对应的第一开口,所述色阻部包括设置在所述第一开口的第一色阻结构,所述第一色阻结构至少与所述内建电场区域重叠设置。
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