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龙图腾网获悉郑州炜盛电子科技有限公司申请的专利一种场效应晶体管氢气传感器、制备方法、氢气检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116046851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211668005.2，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种场效应晶体管氢气传感器、制备方法、氢气检测方法是由王利利;王庆设计研发完成，并于2022-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管氢气传感器、制备方法、氢气检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种场效应晶体管氢气传感器、制备方法、氢气检测方法，传感器包括：半导体基底、源极及漏极、沟道、介质层、敏感栅极、过滤层；半导体基底上的源极及漏极按照从源极、漏极、源极的顺序布置；半导体基底表面上形成两条同等大小的沟道；介质层以四阵列方式布设在两条沟道上；工作时，在敏感栅极和源极加载阈值电压，源极接地，漏极加载固定电压；当敏感栅极暴露在氢气氛围中时，其电阻发生改变，使得敏感栅极的阈值电压发生改变，从而改变漏极和源极之间沟道的电流，实现传感功能。

本发明授权一种场效应晶体管氢气传感器、制备方法、氢气检测方法在权利要求书中公布了：1.一种氢气检测方法，其特征在于： 检测时，采用场效应晶体管氢气传感器进行检测，以获得感应信号； 进行氢气浓度输出时，将感应信号输入预训练的感应信号-氢气浓度输出模型，即可获得对应的氢气浓度； 其中，所述场效应晶体管氢气传感器包括： 半导体基底；形成在半导体基底上表面的源极及漏极；形成在源极与漏极之间的半导体基底表面上的沟道；形成在沟道上的介质层；形成在介质层上的敏感栅极；以及形成在敏感栅极上的过滤层； 其中，半导体基底上的源极及漏极按照从源极、漏极、源极的顺序布置；半导体基底表面上形成两条同等大小的沟道；介质层以四阵列方式布设在两条沟道上； 工作时，在敏感栅极和源极加载阈值电压，源极接地，漏极加载固定电压；当敏感栅极暴露在氢气氛围中时，其电阻发生改变，使得敏感栅极的阈值电压发生改变，从而改变漏极和源极之间沟道的电流，实现传感功能； 其中，感应信号-氢气浓度输出模型的训练步骤如下： 1将场效应晶体管氢气传感器的源漏极间的电流变化率作为传感器的灵敏度，通过大量的测试得到训练数据集，建立不同浓度氢气与传感器灵敏度的对应关系；建立四元神经网络结构，其中，每个传感器的灵敏度代表一个神经元来进行工作，以检测到的氢气浓度为输入值进行下一步计算；其中， 2对输入值进行归一化操作； 3对每个输入值进行加权，最初的加权是随机分配的； 4计算每层残差：计算预测输出值与训练数据集的期望值之间的差异；若符合允许误差则可输出，若误差较大则进行反向传播，计算各层残差； 输出层→隐藏层：残差=-输出值-样本值*激活函数的导数； 隐藏层→隐藏层：残差=右层每个节点的残差加权求和*激活函数的导数； 5更新权重：利用误差加权导数公式，根据误差范围进行权重的更新； 输入层：权重增加=当前节点的Sigmoid函数值*右层对应节点的残差*学习率； 隐藏层：权重增加=输入值*右层对应节点的残差*学习率； 偏移值的权重增加=右层对应节点的残差*学习率； 6输出结果：重新输出结果，并对此过程进行多次循环迭代，每次迭代中，整个训练集都被同时处理，最终输出综合的氢气检测浓度。

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