湖南三安半导体有限责任公司洪棋典获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211516494.X，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权晶体生长装置是由洪棋典;张洁设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域，该晶体生长装置包括坩埚体、坩埚盖、分隔件以及加热件，坩埚体包括相连的坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁和坩埚侧壁围合形成腔室。坩埚盖盖设于坩埚侧壁上与坩埚底壁相对的一侧，且坩埚盖朝向坩埚底壁的一侧用于设置第一籽晶。分隔件设置于腔室内，其朝向坩埚底壁的一侧用于设置第二籽晶，朝向坩埚盖的一侧用于承载第一碳化硅粉料，坩埚底壁用于承载第二碳化硅粉料。加热件设置在坩埚侧壁的外周，用于使第一碳化硅粉料和第二碳化硅升华，并使升华后的生长气氛运动至所述第一籽晶和所述第二籽晶进行结晶。从而在一次生长周期内就可以得到至少两颗碳化硅晶体，提高了产能。
本发明授权晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚体，所述坩埚体包括相连的坩埚底壁与坩埚侧壁，所述坩埚底壁与所述坩埚侧壁围合形成有腔室； 坩埚盖，所述坩埚盖盖设于所述坩埚侧壁与所述坩埚底壁相对的一侧，且所述坩埚盖朝向所述坩埚底壁的一侧用于设置第一籽晶； 分隔件，设置于所述腔室内，所述分隔件朝向所述坩埚底壁的一侧用于设置第二籽晶，所述分隔件朝向所述坩埚盖的一侧用于承载第一碳化硅粉料；所述坩埚底壁用于承载第二碳化硅粉料； 加热件，设置于所述坩埚侧壁的外周，用于使所述第一碳化硅粉料和所述第二碳化硅粉料升华，并使升华后的生长气氛运动至所述第一籽晶和所述第二籽晶进行结晶； 其中，所述分隔件包括中间部以及连接在所述中间部的外周缘的周部，所述周部连接于所述坩埚侧壁，所述中间部为中空构造，所述中间部朝向所述坩埚底壁的一侧用于设置所述第二籽晶。
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