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龙图腾网获悉奇异摩尔(上海)集成电路设计有限公司申请的专利深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211232982.8，技术领域涉及：H10W90/10；该发明授权深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构是由徐健;田陌晨;温德鑫;祝俊东设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构。其包括：提供芯粒封装基体，其中，所述芯粒封装基体包括主芯片以及塑封于所述主芯片正面上的芯粒组，芯粒组包括至少一个芯粒，芯粒组内的芯粒与主芯片互联；对上述芯粒封装基体，在主芯片的背面进行深槽器件集成工艺，以在所述主芯片的背面集成所需的深槽器件，所述深槽器件包括深槽电容和或深槽电感，深槽器件与主芯片和或芯粒组内相应的芯粒适配电连接；深槽器件集成后，在主芯片的背面制备引出连接组件，利用所制备的引出连接组件将主芯片、芯粒组、深槽器件适配电连接所形成的芯粒封装体从主芯片的背面引出。本发明可满足深槽电容、深槽电感的大面积集成，提高集成的密度与可靠性。

本发明授权深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构在权利要求书中公布了：1.一种深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，包括： 提供芯粒封装基体，其中，所述芯粒封装基体包括主芯片以及塑封于所述主芯片正面上的芯粒组，芯粒组包括至少一个芯粒，芯粒组内的芯粒与主芯片互联； 对上述芯粒封装基体，在主芯片的背面进行深槽器件集成工艺，以在所述主芯片的背面集成所需的深槽器件，所述深槽器件包括深槽电容和或深槽电感，深槽器件与主芯片和或芯粒组内相应的芯粒适配电连接； 深槽器件集成后，在主芯片的背面制备引出连接组件，利用所制备的引出连接组件将主芯片、芯粒组、深槽器件适配电连接所形成的芯粒封装体从主芯片的背面引出； 对芯粒封装基体，进行深槽器件集成工艺时，先将所述芯粒封装基体与一支撑载板临时键合，其中，在临时键合后，芯粒封装基体内用于塑封芯粒组的塑封层与支撑载板对应接触连接； 在制备引出连接组件后，解除支撑载板与塑封层的键合连接，以形成所需的芯粒封装体； 所述引出连接组件包括制备于主芯片背面的背面金属层以及与所述背面金属层适配的焊球组，其中， 所述背面金属层包括背面第一焊盘以及背面第二焊盘，背面第一焊盘与主芯片内的片内连接柱对应连接，深槽器件通过背面第一焊盘以及与所述背面第一焊盘电连接的片内连接柱与主芯片、芯粒组内相应的芯粒适配电连接； 所述焊球组包括若干连接第一焊球以及若干连接第二焊球，连接第一焊球与背面第一焊盘对准接触电连接，连接第二焊球与背面第二焊盘对准接触电连接； 在主芯片内包括若干器件元件区，其中， 器件元件区与主芯片的正面正对应，芯粒组内的一芯粒与主芯片内相应的器件元件区适配电连接，深槽器件通过片内连接柱与主芯片内相应的器件元件区适配电连接，以使得芯粒与主芯片互联，且深槽器件与主芯片和或相对应的芯粒适配电连接； 对芯粒封装基体，制备时，包括： 提供主芯片，并在所述主芯片的正面设置正面金属层； 提供芯粒组，所述芯粒组内的芯粒焊接键合在正面金属层上，以利用所焊接键合的正面金属层与主芯片内相应的器件元件区电连接； 进行塑封工艺，将芯粒组内的芯粒塑封在主芯片的正面，以形成芯粒封装基体。

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