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龙图腾网获悉扬州华翀电力电子科技有限公司申请的专利一种钐钴稀土永磁体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211186601.7，技术领域涉及：H01F1/055；该发明授权一种钐钴稀土永磁体及其制备方法是由王超;陈曦;陈仲和;郭飞;杨坤堂设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钐钴稀土永磁体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钐钴稀土永磁体，永磁体表面形成有一层原生的氧化膜或氮化膜；基于上述钐钴稀土永磁体的制备方法，包括如下步骤：铸锭，再依次经过破碎、气流磨、磁场成型、烧结制备为致密前驱体；切割后磨抛；真空以及磁场条件下固溶处理；时效处理后降温；氧化或氮化处理。通过在磁场条件下进行固溶和时效处理，可有效调控磁体内胞壁相的分布，从而调控钐钴稀土永磁体的磁性能，利于发展多种牌号的耐高温衫钴稀土永磁体；通过对磁体的胞壁相进行调控，能够在提高磁体矫顽力的同时，使磁体的方形度也得到显著提升，并且磁体的耐腐蚀性能也得到增强。

本发明授权一种钐钴稀土永磁体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钐钴稀土永磁体，其特征在于，所述永磁体表面形成有一层厚度为0.01μm-2μm的原生的氧化膜或氮化膜； 按照质量比，所述永磁体的合金成分表达式为SmGdErmFeCoCuZrn，其中24.1≤m≤25.2,74.8≤n≤75.9； 所述氧化膜或氮化膜为Sm、Gd、Er、Fe、Co、Zr、Cu中的至少一种金属氧化或氮化后形成的膜； 钐钴稀土永磁体的制备方法，包括如下步骤： S1：将永磁体成分中的各稀土元素以及金属元素按照配比熔炼成合金铸锭，再依次经过破碎、气流磨、磁场成型、烧结制备为致密前驱体； S2：将所述前驱体切割后磨抛，保持表面的洁净和平整； S3：将磨抛后的前驱体放入磁场热处理设备后抽真空，加热至固溶温度后向设备腔体中加入磁场，进行磁场条件下的固溶处理； S4：维持设备内温度为800-830℃进行时效处理，时效处理时间为1-3h，随后逐渐降低温度，降温速率为0.5-2℃min； S5：当温度降低至400~600℃时，向磁体表面喷射混合气体或将磁体短时浸入液氮或液氨中使磁体快速冷却，以使得磁体表层金属元素被氧化或氮化，形成氧化膜或氮化膜的钝化层。

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