长江存储科技有限责任公司颜丙杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211314186.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由颜丙杰设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述金属硅化物层覆盖所述第一凹槽底部和侧壁；所述第一金属层填满所述第一凹槽。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；所述晶体管柱的第一侧壁上依次设有栅氧化层、栅极层和绝缘结构，所述晶体管柱的第二侧壁上设有隔离结构；其中，所述晶体管柱的第一侧壁和所述晶体管柱的第二侧壁为所述晶体管柱的相对两个侧壁； 对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽，包括：对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽，所述第一凹槽的第一侧壁暴露出所述绝缘结构，所述第一凹槽的第二侧壁暴露出所述隔离结构；其中，所述第一凹槽的第一侧壁和所述第一凹槽的第二侧壁为所述第一凹槽的相对两个侧壁； 在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述金属硅化物层覆盖所述第一凹槽底部和侧壁；所述第一金属层填满所述第一凹槽。
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