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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁畴壁移动元件和磁阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210636023.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁畴壁移动元件和磁阵列是由山田章悟;柴田龙雄设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁畴壁移动元件和磁阵列在说明书摘要公布了：本发明提供磁畴壁移动元件和磁阵列。本发明的磁畴壁移动元件包括磁阻效应部、第1电极、第2电极、第3电极、第1磁化固定层和第2磁化固定层。所述磁阻效应部包括参照层、磁畴壁移动层和非磁性层。所述磁畴壁移动层包括：磁化方向被固定的第1区域和第2区域；和磁化方向可变的第3区域。所述参照层在从第1方向俯视时与所述第1区域和所述第2区域中的至少一部分重叠，所述第1区域和所述第2区域中的至少一者的一部分在与所述第1方向和第2方向正交的第3方向上的长度比所述第3区域短。

本发明授权磁畴壁移动元件和磁阵列在权利要求书中公布了：1.一种磁畴壁移动元件，其特征在于： 包括磁阻效应部、第1电极、第2电极、第3电极、第1磁化固定层和第2磁化固定层， 所述磁阻效应部包括：包含铁磁性体的参照层；包含铁磁性体的磁畴壁移动层；和在第1方向上被所述参照层和所述磁畴壁移动层夹着的非磁性层， 所述磁畴壁移动层在与所述第1方向正交的第2方向上延伸， 所述磁畴壁移动层包括：磁化方向被固定的第1区域；磁化方向被固定在与所述第1区域的磁化方向不同的方向上的第2区域；和在所述第2方向上位于被所述第1区域和所述第2区域夹着的位置且磁化方向可变的第3区域， 所述第1电极与所述第1区域电连接， 所述第2电极与所述第2区域电连接， 所述第3电极与所述参照层电连接，且在所述第1方向上以所述参照层为基准位于与所述非磁性层相反的一侧， 所述第1磁化固定层位于所述第1区域与所述第1电极之间，用于将所述第1区域的磁化固定， 所述第2磁化固定层位于所述第2区域与所述第2电极之间，用于将所述第2区域的磁化固定， 所述参照层在从所述第1方向俯视时与所述第1区域和所述第2区域中的至少一部分重叠， 所述第1区域和所述第2区域中的至少一者的一部分在与所述第1方向和所述第2方向正交的第3方向上的长度比所述第3区域的所述第3方向上的长度短， 所述磁畴壁移动层的所述第3区域能够以磁畴壁为边界而形成在磁化方向与所述第1区域相同的方向上取向的第1磁畴和在磁化方向与所述第2区域相同的方向上取向的第2磁畴， 所述磁畴壁移动层是能够通过磁状态的变化来磁记录多值数据的层。

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