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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210069128.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由小林勇介;清水达雄;井口智明;雁木比吕;根本宏树设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1电极； 第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向； 第3电极，所述第3电极包括第3电极端部以及第3电极另一端部，所述第3电极端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第3电极另一端部之间； 第1导电构件，所述第1导电构件包括第1导电构件端部以及第1导电构件另一端部，所述第1导电构件端部在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第1导电构件另一端部之间，所述第1导电构件端部在所述第1方向上的位置处于所述第1电极在所述第1方向上的位置与所述第3电极端部在所述第1方向上的位置之间，所述第1导电构件与所述第2电极以及所述第3电极的一方电连接； 半导体构件，所述半导体构件包括第1导电类型的第1半导体区域、第2导电类型的第2半导体区域以及所述第1导电类型的第3半导体区域， 所述第1半导体区域包括第1部分区域以及第2部分区域， 所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2电极之间， 所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3半导体区域之间， 所述第3半导体区域与所述第2电极电连接， 从所述第3电极的一部分向所述第2半导体区域的第2方向与所述第1方向交叉， 从所述第3电极的另一部分向所述第1部分区域的一部分的方向沿着所述第2方向， 从所述第2部分区域向所述第1导电构件的方向沿着所述第1方向， 从所述第1导电构件向所述第1部分区域的方向沿着所述第2方向；以及 第1绝缘构件，包含硅以及氧，所述第1绝缘构件包括第1绝缘区域、第2绝缘区域以及第3绝缘区域， 所述第1绝缘区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第1导电构件端部之间， 所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第1导电构件与所述第1部分区域之间， 从所述第1绝缘区域向所述第3绝缘区域中的至少一部分的方向沿着所述第2方向， 所述第3绝缘区域在所述第1方向上的位置处于所述第2部分区域在所述第1方向上的位置与所述第2绝缘区域在所述第1方向上的位置之间， 所述第3绝缘区域包括： 第1区域，包含第1元素，该第1元素包括从包括氮以及铪的群选择的至少一个元素； 第2区域，包含所述第1元素；以及 第1中间区域，设置于所述第1区域与所述第2区域之间， 所述第1区域在所述第2方向上处于所述第2区域的一部分与所述第1部分区域之间， 所述第1中间区域不包含所述第1元素，或者，所述第1中间区域中的所述第1元素的浓度比所述第1区域中的所述第1元素的浓度低，比所述第2区域中的所述第1元素的浓度低， 所述第1绝缘区域以及所述第2绝缘区域不包含所述第1元素，或者，所述第1绝缘区域中的所述第1元素的浓度以及所述第2绝缘区域中的所述第1元素的浓度分别比所述第1区域中的所述第1元素的所述浓度低，比所述第2区域中的所述第1元素的所述浓度低， 所述第1区域在所述第1方向上处于所述第1电极与所述第2区域的其它部分之间，所述第1区域以及所述第2区域的所述一部分沿着所述第1方向延伸，所述第2区域的所述其它部分在所述第1方向上延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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