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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115133886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210675420.4，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路是由陈奇;于翔设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路在说明书摘要公布了：一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路，通过在A组两个差分对的基础上额外增加B组两个差分对，A组PMOS差分对的尾电流通过A组电流镜注入到A组NMOS差分对中，B组NMOS差分对的尾电流通过B组电流镜注入到B组PMOS差分对中，能够消除低电源电压下的电流镜和尾电流形成的正反馈环路，使得电路在低电源电压下也能够正常工作。

本发明授权一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路在权利要求书中公布了：1.一种用于轨到轨放大器的恒定跨导电路，其特征在于，包括A组两个差分对和B组两个差分对，所述A组两个差分对为A组PMOS差分对和A组NMOS差分对，所述A组PMOS差分对的尾电流Ipa通过A组电流镜注入到所述A组NMOS差分对中，所述B组两个差分对为B组NMOS差分对和B组PMOS差分对，所述B组NMOS差分对的尾电流Inb通过B组电流镜注入到所述B组PMOS差分对中，所述A组NMOS差分对的第一漏极和所述B组NMOS差分对的第一漏极分别连接第一输出端，所述A组NMOS差分对的第二漏极和所述B组NMOS差分对的第二漏极分别连接第二输出端，所述A组PMOS差分对的第一漏极和所述B组PMOS差分对的第一漏极分别连接第四输出端，所述A组PMOS差分对的第二漏极和所述B组PMOS差分对的第二漏极分别连接第三输出端； 所述A组NMOS差分对包括第1aNMOS管Mn1a和第2aNMOS管Mn2a，所述A组PMOS差分对包括第1aPMOS管Mp1a和第2aPMOS管Mp2a，Mn1a和Mp1a栅极互连后连接正向输入电压端Vin+，Mp2a和Mn2a栅极互连后连接负向输入电压端Vin-，Mn1a和Mn2a源极互连后通过尾电流源Ina接地，Mp1a和Mp2a源极互连后通过尾电流源Ipa连接电源电压端VDD；所述B组NMOS差分对包括第1bNMOS管Mn1b和第2bNMOS管Mn2b，所述B组PMOS差分对包括第1bPMOS管Mp1b和第2bPMOS管Mp2b，Mn1b和Mp1b栅极互连后连接正向输入电压端Vin+，Mp2b和Mn2b栅极互连后连接负向输入电压端Vin-，Mn1b和Mn2b源极互连后通过尾电流源Inb接地，Mp1b和Mp2b源极互连后通过尾电流源Ipb连接电源电压端VDD；Mn1a的漏极和Mn1b的漏极分别连接第一输出端，Mn2a的漏极和Mn2b的漏极分别连接第二输出端，Mp1a的漏极和Mp1b的漏极分别连接第四输出端，Mp2a的漏极和Mp2b的漏极分别连接第三输出端； 所述A组电流镜包括栅极互连的第三NMOS管Mn3和第四NMOS管Mn4，Mn3和Mn4均源极接地，Mn3的漏极通过尾电流源Ina接地，Mn4栅漏互连后连接第五PMOS管Mp5的漏极，Mp5的源极通过尾电流源Ipa连接电源电压端VDD，Mp5的栅极接入第一偏置电压Vb1； 所述B组电流镜包括栅极互连的第三PMOS管Mp3和第四PMOS管Mp4，Mp3和Mp4均源极接VDD，Mp3的漏极通过尾电流源Ipb连接VDD，Mp4栅漏互连后连接第五NMOS管Mn5的漏极，Mn5的源极通过尾电流源Inb接地，Mn5的栅极接入第二偏置电压Vb2。

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