卡尔蔡司SMT有限责任公司J.舍内贝格获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司申请的专利修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115128897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210311424.4，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序是由J.舍内贝格;M.巴达克;C.鲍尔;J.奥斯特设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序在说明书摘要公布了：本发明公开一种修补平版印刷掩膜缺陷、特别是修补EUV掩膜的缺陷的方法、设备和计算机机程序。修补平版印刷掩膜特别是EUV掩膜缺陷的方法包含以下的步骤：a.以第一修补剂量对缺陷执行第一修补步骤，使该缺陷从初始拓扑转变成第一缺陷拓扑；b.测定第一修补步骤对缺陷拓扑的影响；c.测定对缺陷进行的第二修补步骤应在缺陷处达到的第二缺陷拓扑；d.测定第二修补步骤的第二修补剂量，此测定至少有一部分是根据测得的第一修补步骤对缺陷拓扑及第二缺陷拓扑的影响。此外，本发明还可以包含步骤e.以第二修补剂量执行第二修补步骤。
本发明授权修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序在权利要求书中公布了：1.一种修补平版印刷掩膜10,20的缺陷的方法100,200，所述方法包括以下的步骤： a.利用第一修补剂量125对该缺陷执行第一修补步骤120，其中，该缺陷由此从初始拓扑110转变成第一缺陷拓扑130； b.测定140该第一修补步骤对缺陷拓扑的影响，其中，测定通过执行该第一修补步骤对该缺陷拓扑造成的改变，并且至少部分根据测得的该缺陷拓扑的改变及该第一修补剂量来测定该第一修补步骤的第一过程速度； c.针对该缺陷确定利用第二修补步骤150应在该缺陷处达到的第二缺陷拓扑160； d.至少部分根据测得的第一修补步骤对该缺陷拓扑及该第二缺陷拓扑的影响，测定用于第二修补步骤的第二修补剂量； 其中，该缺陷拓扑包含该缺陷的与在掩膜上的位置相关的特征值。
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