买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115047731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210871348.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法是由游信胜;余青芳;王文娟;许庭豪;秦圣基;严涛南设计研发完成，并于2018-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法在说明书摘要公布了：一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。

本发明授权光刻工艺方法及极紫外线光刻工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种极紫外线光刻工艺方法，包括： 接收一集成电路设计布局； 根据上述集成电路设计布局，决定多个候选子区域； 根据一制造成本函数以及上述候选子区域，决定一子区域参数Nx、一子区域参数Ny以及一光罩参数M； 根据上述集成电路设计布局，制造一第一数量的相同的多个光罩； 其中上述第一数量等于上述光罩参数M，上述光罩的每一者包括于一阵列中配置上述子区域参数Nx*上述子区域参数Ny个多个子区域，并且上述光罩的每一者上的上述子区域的每一者定义相同的一图案； 于一基板上形成一抗蚀剂层； 决定上述抗蚀剂层的一最佳曝光剂量Eop；以及 利用上述光罩对上述抗蚀剂层中相同的一区域执行一第二数量的多个曝光工艺，其中： 上述第二数量等于M*Nx'*Ny'； 上述曝光工艺的每一者仅使用上述光罩的其中一者； 上述曝光工艺包括与上述第一数量的上述光罩匹配成对的M个群，从而利用一匹配成对的光罩来实施每一个群的上述曝光工艺； 每一个群的上述曝光工艺还包括使用上述匹配成对的光罩的一相应子区域的Nx'*Ny'个曝光工艺，上述Nx'*Ny'个曝光工艺至少包括一第一曝光工艺、一第二曝光工艺以及一第三曝光工艺，其中： 上述第一曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进一第一距离以将上述匹配成对的光罩的一第一子区域的一第一图案定位至上述抗蚀剂层的一次场中并进行曝光，以将上述匹配成对的光罩的上述第一子区域的上述第一图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层； 上述第二曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进不同于上述第一距离的一第二距离以将上述匹配成对的光罩的一第二子区域的一第二图案定位至上述抗蚀剂层的上述次场中并进行曝光，以将上述匹配成对的光罩的上述第二子区域的上述第二图案成像至上述次场中的上述抗蚀剂层； 上述第三曝光工艺包括将上述匹配成对的光罩步进一第三距离并进行曝光，其中上述第三距离等于上述第一距离且不同于上述第二距离；以及 上述第二数量的上述曝光工艺共同于上述抗蚀剂层的上述区域中形成上述图案的一潜像，其中Nx'为值为1、2、...或Nx的整数，以及Ny'为值为1、2、...或Ny的整数，其中Nx'*Ny'大于1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。