瑞昱半导体股份有限公司杨志强获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利静态随机存取存储器的纠错电路的验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110241055.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权静态随机存取存储器的纠错电路的验证方法是由杨志强;蔡佳佳;陈彬;邱栋设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器的纠错电路的验证方法在说明书摘要公布了：一种静态随机存取存储器的纠错ECC电路的验证方法包括将原始数据通过纠错编码程序以输出第一数据；依据埋错遮罩获得第二数据；将第一数据与第二数据进行位运算，得到第三数据；将第三数据写入至静态存储器中的测试目标区以成为第四数据；从测试目标区读取第四数据；将第四数据输入纠错译码程序以输出第五数据及错误信息；根据第五数据、原始数据、错误信息与第二数据，获得验证结果。
本发明授权静态随机存取存储器的纠错电路的验证方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器的纠错电路的验证方法，包括： 将一原始数据通过一纠错编码程序以输出一第一数据； 依据一埋错遮罩获得一第二数据； 将所述第一数据与所述第二数据进行一位运算，得到一第三数据； 将所述第三数据写入至一静态存储器中的一测试目标区以成为一第四数据； 从所述测试目标区读取所述第四数据； 将所述第四数据输入一纠错译码程序以输出一第五数据及一错误信息；以及 根据所述第五数据、所述原始数据、所述错误信息与所述第二数据，获得一验证结果， 其中，将所述原始数据通过所述纠错编码程序以输出所述第一数据的步骤包括：将具有一原始位长度的所述原始数据调制为具有一运算位长度的所述第一数据， 其中，依据所述埋错遮罩获得所述第二数据的步骤包括： 依据所述运算位长度设定所述埋错遮罩的一位长度； 在所述埋错遮罩中选择至少一埋错位；以及 将一错误数据写入所述至少一埋错位以获得所述第二数据。
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