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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于沟道电导增强的场效应开关器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210566317.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权基于沟道电导增强的场效应开关器件是由毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;王冲;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于沟道电导增强的场效应开关器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于沟道电导增强的场效应开关器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管的电流崩塌和低击穿电压问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，该势垒层上部依次为渐变掺杂结构的P型块、栅极，P型块左侧为由m个平行回型调制岛构成的渐变掺杂调制岛阵列，每个调制岛中设有方形槽，这些方形槽构成窗口；各调制岛左侧均设有y个凹槽，各凹槽中设有倒L型金属条，各金属条上侧位于调制岛或窗口的上部，各调制岛所对应的y个金属条中至少有一个金属条的水平部分设有凸起连接到方形槽内的势垒层，所有金属条构成岛金属，岛金属左侧为漏极，P型块右侧为源极。本发明能抑制电流崩塌，提升击穿电压，可用作电力电子系统。

本发明授权基于沟道电导增强的场效应开关器件在权利要求书中公布了：1.一种基于沟道电导增强的场效应开关器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、沟道层3和势垒层4，势垒层4上部设有P型块5，P型块5上部淀积有栅极12，势垒层4的上部左、右侧边缘分别设有漏极9和源极10，其特征在于：还包括调制岛阵列6； 所述P型块5为渐变掺杂结构，其自下而上按第1层51至第n层5n分布，各层均由掺杂浓度递减的P型半导体材料构成，且各层的厚度均相同； 所述调制岛阵列6由m个大小相同且等间距平行排列的回字型调制岛构成，m≥1，各调制岛为渐变掺杂结构，且自下而上掺杂浓度逐渐减小，其厚度小于P型块5的厚度；所有调制岛中均设有方形槽，这些方形槽组成了窗口7； 所述沟道层3或势垒层4内部、各调制岛左侧均设有y个凹槽8，这y个凹槽尺寸相同，且等间距平行排列，y≥2，即凹槽8的总数目为m×y个；每个凹槽内均设有倒L型金属条，且每个倒L型金属条的垂直部分下侧位于凹槽8内部，该垂直部分右侧紧靠m个调制岛左侧，这些倒L型金属条的水平部分位于m个调制岛上部或m个方形槽内部；对于每个调制岛，其所对应的y个倒L型金属条中至少有一个金属条水平部分有凸起以连接方形槽内的势垒层4，这m×y个金属条构成了岛金属11。

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