株式会社东芝桥本玲获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利面发光型半导体发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114976857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111042859.5，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权面发光型半导体发光装置是由桥本玲;角野努;金子桂;斋藤真司设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本面发光型半导体发光装置在说明书摘要公布了：提供一种使光输出提高的面发光型半导体发光装置。面发光型半导体发光装置具有：第1半导体层；发光层，设置在上述第1半导体层上；第2半导体层，设置在上述发光层上；凹凸构造，设置在上述第2半导体层上；第1金属层，将上述凹凸构造覆盖；以及第2金属层，设置在上述凹凸构造与上述第1金属层之间。上述第2金属层设置在上述凹凸构造处的凹部的底面、凸部的上表面及上述凸部的侧面中的某1个上，上述第2金属层相对于从上述发光层辐射的光的反射率比上述第1金属层相对于上述光的反射率低。
本发明授权面发光型半导体发光装置在权利要求书中公布了：1.一种面发光型半导体发光装置，其具有： 第1半导体层； 发光层，设置在所述第1半导体层上； 第2半导体层，设置在所述发光层上； 凹凸构造，设置在所述第2半导体层上； 第1金属层，将所述凹凸构造覆盖；以及 第2金属层，是设置在所述凹凸构造与所述第1金属层之间的第2金属层，设置在所述凹凸构造处的凹部的底面、凸部的上表面及所述凸部的侧面中的某1个上，所述第2金属层相对于从所述发光层辐射的光的反射率比所述第1金属层相对于所述光的反射率低， 所述凹凸构造具有多个所述凸部，所述多个凸部在沿着所述第2半导体层的上表面的方向上具有一定的周期性而排列，构成光子晶体构造。
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