西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210658275.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法是由许晟瑞;胡琳琳;徐爽;张涛;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于AlGaSbNGaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有HEMT器件势垒层Al组分及二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层1、AlN成核层2、GaN缓冲层3和势垒层4，该势垒层的两端分别设有漏源电极6,7，中间设有栅电极8，势垒层未淀积电极的位置处为栅介质层5，其上设有Si33N44钝化层9，该势垒层采用AlGaSbN材料，以增加Al组分，实现与GaN缓冲层3的晶格匹配；该栅介质层采用SiO22材料，以减小栅极漏电。本发明提升了二维电子气的浓度和工作效率，可用来制作GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件。
本发明授权基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于AlGaSbNGaN异质结的高电子迁移率晶体管，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层1、AlN成核层2、GaN缓冲层3和势垒层4，该势垒层的两端分别设有漏电极6和源电极7，中间设有栅电极8，势垒层上未淀积电极的其余位置处为栅介质层5，该栅介质层上设有Si3N4钝化层9，其特征在于： 所述势垒层4，采用AlGaSbN材料，以增加Al组分，实现与GaN缓冲层3的晶格匹配； 所述栅介质层5，采用SiO2材料，以减小栅极漏电。
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