西安电子科技大学周弘获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210577611.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件是由周弘;杨慧玲;党魁;张进成;霍树栋;郝跃设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件，主要解决现有技术分立式PIN、SBD二极管用于多级限幅电路时功率容量受限的问题。本发明在碳化硅衬底1的上方并列设置第一级氮化镓异质结PIN对管和第二、三级SBD对管，对管之间设置隔离槽用于隔离器件，通过空气桥结构连接其中一侧单管的阳极和对称单管的阴极。本发明将氮化镓异质结PIN管与SBD管通过空气桥结构和共阴极的方式进行对管互连，实现三级对管的集成。本发明器件的频率响应快，耐压特性好，集成度高，用于限幅电路时可显著提升功率容量，降低响应时间，提高集成度，可应用于大功率限幅电路中。
本发明授权氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件，包括碳化硅衬底1、氮化镓重掺杂n+层2、第一氮化镓本征n-层31、第二氮化镓本征n-层32、第三氮化镓本征n-层33、重掺杂p+层4、公共阴极5、PIN结阳极6、肖特基结阳极7和8、空气桥结构以及沿垂直于器件横截面方向的中间在n+层2上的一条深至碳化硅衬底1表面的隔离槽；其特征在于，在同一碳化硅衬底1上，并列设置第一级异质结PIN对管和第二、三级SBD对管，其中，第一级PIN对管由两个结构完全相同的异质结PIN单管组成，第二、三级SBD对管分别由两个结构完全相同的SBD单管组成；每级对管的两个单管沿垂直于器件横截面方向的中间呈对称分布，结构完全相同；空气桥结构连接其中一侧单管的阳极和对称单管的阴极，实现对管结构；每级对管之间通过一侧单管共阴极结构实现器件级联。
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