株式会社电装藤林裕明获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利用于制造半导体器件的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114941134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210131974.8，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权用于制造半导体器件的设备是由藤林裕明;小出雄也;森博隆设计研发完成，并于2022-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体器件的设备在说明书摘要公布了：一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置53、第一检测器55和第二检测器56。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底100处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域102的状态。第二检测器检测衬底的第二区域103的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。
本发明授权用于制造半导体器件的设备在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的设备，所述设备包括： 成膜装置53，其配置为用于形成用于埋封沟槽101的埋封层104，所述沟槽布置在所述半导体器件中的衬底处； 基座41，其形成为圆盘形，所述基座包括凹部，所述基座具有在所述凹部内的第一部分和第二部分； 第一检测器，其配置为用于检测所述衬底的布置有所述沟槽的第一区域102的状态，所述第一部分与所述第一区域对应；和 第二检测器，其配置为用于检测所述衬底的第二区域的状态，所述第二区域布置在所述第一区域的外部，所述第二部分与所述第二区域对应， 其中，所述成膜装置进一步配置为用于基于与所述第一区域的状态相对应的第一检测结果和与所述第二区域的状态相对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件来结束所述埋封层的成膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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