台湾积体电路制造股份有限公司林子羽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111652.7，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权集成芯片及其形成方法是由林子羽;张耀文;锺嘉文;林彦良设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例涉及一种集成芯片。该集成芯片包括：互连结构，位于半导体衬底上方并包括导电线。钝化结构位于互连结构上方。上导电结构位于钝化结构上方并包括第一导电层、介电层和第二导电层。该第一导电层设置在介电层与钝化结构之间。该第二导电层沿着介电层的顶面延伸并穿透第一导电层和钝化结构直至导电线。本申请的实施提供了集成芯片及其形成方法。
本发明授权集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 互连结构，位于半导体衬底上方并包括导电线； 钝化结构，位于所述互连结构上方；以及 上导电结构，位于所述钝化结构上方并包括第一导电层、介电层和第二导电层，其中，所述第一导电层设置在所述介电层与所述钝化结构之间，其中，所述第二导电层沿着所述介电层的顶面延伸并穿透所述第一导电层和所述钝化结构直至所述导电线， 其中，所述第二导电层包括穿过所述钝化结构连续延伸至所述导电线的中心导电部，所述中心导电部与所述介电层的内侧壁、所述第一导电层的内侧壁和所述钝化结构的内侧壁接触，并且，所述第一导电层的外侧壁朝向所述中心导电部向内倾斜。
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