华为技术有限公司孙成亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114731144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102477.1，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器是由孙成亮;邹杨;蔡耀;周杰;刘炎;高超;刘鹏设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器，该薄膜体声波谐振器包括：基板和压电振荡结构；压电振荡结构包括依次形成于基板的顶表面之上的底部电极、压电薄膜层和顶部电极，底部电极被压电薄膜层覆盖，压电薄膜层开设有通孔，底部电极通过通孔内的导体引至压电薄膜层远离基板的顶表面；基板的顶表面设置有凹槽，凹槽内填充有导电块，导电块与底部电极接触，其中，通孔向基板的正投影位于凹槽所在的区域范围内，并且底部电极至少部分覆盖凹槽。本申请实施例提供的薄膜体声波谐振器，可以具有更高的可靠性。
本发明授权薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括基板和压电振荡结构； 所述压电振荡结构包括依次形成于所述基板的顶表面之上的底部电极、压电薄膜层和顶部电极，所述底部电极被所述压电薄膜层覆盖，所述压电薄膜层开设有通孔，所述底部电极通过所述通孔内的导体引至所述压电薄膜层远离所述基板的顶表面； 所述基板的顶表面设置有凹槽，所述凹槽内填充有导电块，所述导电块与所述底部电极接触，其中，所述通孔向所述基板的正投影位于所述凹槽所在的区域范围内，并且所述底部电极至少部分覆盖所述凹槽。
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