格芯(美国)集成电路科技有限公司M·D·莱维获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用于半导体器件的散热隔离结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111529729.4，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权用于半导体器件的散热隔离结构是由M·D·莱维;S·P·阿杜苏米利;A·J·约瑟夫设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的散热隔离结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于半导体器件的散热隔离结构。一种结构包括位于衬底的一区域上方的有源器件和与有源器件邻近的散热隔离结构。隔离结构包括位于导热层上方的电介质层。导热层可以包括多晶石墨。导热层提供散热器，其以低导电率为热提供高导热路径。导热层可以延伸到衬底中。衬底可以包括SOI衬底，在这种情况下，导热层可以延伸穿过其的掩埋绝缘体。
本发明授权用于半导体器件的散热隔离结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 位于衬底的一区域上方的有源器件，其中所述衬底包括位于基底半导体衬底上方的掩埋绝缘层上方的绝缘体上半导体SOI层； 与所述有源器件邻近的散热隔离结构，其中所述散热隔离结构包括位于导热层上方并且邻接所述导热层的上表面的电介质层，以及其中所述导热层的所述上表面是凹的并且所述导热层的下表面延伸到所述基底半导体衬底中；以及 散热半导体通孔TSV，其与所述散热隔离结构邻近并且位于所述基底半导体衬底内，其中位于所述基底半导体衬底内的所述导热层的所述下表面接触位于所述基底半导体衬底内的所述散热半导体通孔TSV的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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