索尼半导体解决方案公司榊原雅树获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利感测装置和测距设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114616443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080075067.5,技术领域涉及:G01J1/42;该发明授权感测装置和测距设备是由榊原雅树;菊池秀和设计研发完成,并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本感测装置和测距设备在说明书摘要公布了:[问题]为了提供一种能够以高精度检测光子而不管环境的照度的感测装置。[方案]该感测装置设置有:光探测器;负载元件,连接在光探测器与第一基准电位之间;第一导电型第一晶体管,根据光探测器与负载元件之间的节点的电压而导通;第一导电型第二晶体管,根据第一晶体管的电流或第二信号线的电压导通第一基准电位与第一晶体管之间的连接;第二导电型第三晶体管,根据第二信号线的电压导通第一晶体管与第二基准电位之间的连接;以及第一反相器,连接在第一晶体管与第三晶体管之间的节点与第四信号线之间。
本发明授权感测装置和测距设备在权利要求书中公布了:1.一种感测装置,包括: 光电探测器; 负载元件,所述负载元件连接在所述光电探测器与第一基准电位之间; 第一导电型的第一晶体管,所述第一晶体管的栅极经由介于所述光电探测器与所述负载元件之间的第一信号线连接至所述负载元件和所述光电探测器,其中,所述第一晶体管被配置为根据所述第一信号线的电压而导通; 第一导电型的第二晶体管,所述第二晶体管的源极连接至所述第一基准电位,所述第二晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极,并且所述第二晶体管的栅极连接至第二信号线,其中所述第二晶体管被配置为根据所述第一晶体管的电流而导通,并且其中所述第二晶体管被配置为根据所述第二信号线的电压而截止; 第二导电型的第三晶体管,所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极连接,所述第三晶体管的源极与第二基准电位连接,所述第三晶体管的栅极经由所述第二信号线与所述第二晶体管的栅极连接,所述第三晶体管被配置为根据所述第二信号线的电压而导通;以及 第一反相器,连接在第三信号线与第四信号线之间,所述第三信号线介于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间。
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