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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210155406.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法是由罗佳敏;孙鹤设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括在漏极上形成第一掺杂类型的衬底；在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；在漂移区上形成多个第二掺杂类型的体区；淀积生长场氧化层，特别地，在A多晶栅极区有场氧化层遮挡；JFET注入，使得：邻近A多晶栅极区的漂移区没有JFET注入，而邻近B多晶栅极区内的漂移区有JFET注入；移除场氧化层，并进行：有源源蚀刻、栅极层生长、多晶硅沉积、多晶硅蚀刻；源CT和栅CT刻蚀，P+注入；金属沉积和蚀刻；以及钝化聚酰亚胺沉积和蚀刻。本发明在不改变工艺步骤且不增加工艺流程的前提下，仅对JFET注入屏蔽做修改，在A多晶栅极区的场氧化层下方不做JFET注入。藉此，当MOS承受反向耐压时A多晶栅极区下方JFET区更容易耗尽，不影响器件耐压。

本发明授权一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，所述MOSFET器件包括源极、漏极以及栅极，其特征在于，包括： 在所述漏极上形成第一掺杂类型的衬底； 在所述衬底上形成第一掺杂类型的漂移区，其中所述漂移区上定义有A多晶栅极区以及B多晶栅极区，所述A多晶栅极区对角方向的长度大于所述B多晶栅极区的长度； 在所述漂移区上形成多个第二掺杂类型的体区，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型极性相反； JFET注入，先注入JFET而形成JFET区，之后再形成B多晶栅极区，先形成场氧化层，之后才注入JFET以使得场氧化层的正下方不具有JFET区，最后再于JFET区上方形成A多晶栅极区，使得：所述A多晶栅极区下方的中央处不具有JFET区，而所述A多晶栅极区下方邻近于所述体区的位置形成有JFET区，而邻近所述B多晶栅极区内的漂移区有JFET注入； 移除场氧化层；以及于移除场氧化层的位置形成栅极。

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