无锡尚积半导体科技有限公司王兆丰获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技有限公司申请的专利一种用于晶圆的胶刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210026734.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权一种用于晶圆的胶刻蚀方法是由王兆丰;王世宽;宋永辉设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于晶圆的胶刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。
本发明授权一种用于晶圆的胶刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆的胶刻蚀方法，所述晶圆上从下至上依次覆盖胶刻蚀层和遮挡层，其特征在于，所述胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中； 将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体； 采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层； 其中，所述向所述预设腔体中充入惰性气体包括：将所述惰性气体吹向所述晶圆的第一表面； 所述采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引包括：采用所述第一预设射频波轰击所述晶圆的第二表面，同时采用所述第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成自所述第二表面向下的牵引； 所述第一表面和所述第二表面相背设置，所述第一表面为所述晶圆的背面，所述第二表面为所述晶圆的正面； 所述第一预设射频波为15-50MHz的射频波，所述第二预设射频波为0.5-10MHz的射频波。
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