长江存储科技有限责任公司颜丙杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210139283.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统是由颜丙杰;谢景涛设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统。该制作方法包括：形成衬底、堆叠结构以及多个沟道孔，堆叠结构位于衬底的表面上，堆叠结构包括沿远离衬底方向间隔设置的绝缘介质层，相邻的两个绝缘介质层之间形成凹槽，各沟道孔间隔地位于堆叠结构中且分别贯穿至衬底；在各沟道孔的裸露外壁上形成第一介质层，第一介质层连接至少三个相邻的沟道孔，并在连接的至少三个相邻的沟道孔之间形成空洞；在形成有第一介质层的各凹槽中填充金属材料，形成多个金属层。该方法中，金属材料中的F离子被第一介质层阻挡，缓解了现有技术中CH尺寸较大的地方较易发生F扩散引起的CH的电介质损伤，影响器件的电性能的问题。
本发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 形成衬底、堆叠结构以及多个沟道孔，所述堆叠结构位于所述衬底的表面上，所述堆叠结构包括沿远离所述衬底方向间隔设置的绝缘介质层，相邻的两个所述绝缘介质层之间形成凹槽，各所述沟道孔间隔地位于所述堆叠结构中且分别贯穿至所述衬底； 在各所述沟道孔的裸露外壁上形成第一介质层，所述第一介质层连接至少三个相邻的所述沟道孔，并在连接的至少三个相邻的所述沟道孔之间形成空洞，所述空洞在周向方向上是封闭的； 在形成有所述第一介质层的各所述凹槽中填充金属材料，形成多个金属层。
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