台湾积体电路制造股份有限公司杨挺立获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210027367.7，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由杨挺立;蔡柏豪;郑明达;庄咏涵;王学圣设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属UBM结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方并且电耦合到第一重布线的第一凸块下金属UBM结构，该第一UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第一UBM结构的顶面是凹面的；以及位于第二再分布线上方并且电耦合到第二再分布线的第二UBM结构，该第二UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第二UBM结构的顶面是平坦的或凸起的。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一再分布线和第二再分布线，位于半导体衬底上方； 第一钝化层，位于所述第一再分布线和所述第二再分布线上方； 第一凸块下金属结构，位于所述第一再分布线上方并且电耦合到所述第一再分布线，所述第一凸块下金属结构延伸穿过所述第一钝化层，其中，所述第一凸块下金属结构的顶面是凹面的；以及 第二凸块下金属结构，位于所述第二再分布线上方并且电耦合到所述第二再分布线，所述第二凸块下金属结构延伸穿过所述第一钝化层，其中，所述第二凸块下金属结构的顶面是平坦的或凸起的； 其中，所述第一凸块下金属结构包括延伸穿过所述第一钝化层的第一通孔部分，并且其中，所述第一通孔部分的中心线与所述第一凸块下金属结构的所述顶面的凹面的部分的中心线未对准。
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