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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111590863.5，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法是由魏涛;赖志国;杨清华;钱盈;王友良;于保宁设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种散热基板，用于器件芯片的散热，该散热基板包括：基板本体；至少一个第一导热孔结构，其中，每一所述第一导热孔结构均包括在厚度方向上贯穿所述基板本体的第一通孔、以及填充在该第一通孔内的第一导热材料；第一连接部，该第一连接部形成在所述基板本体的正面，所述散热基板通过所述第一连接部连接至器件芯片的背面。相应地，本发明还提供了一种散热基板的制造方法、以及安装有该散热基板的封装结构及其制造方法。实施本发明有利于提高封装结构的散热性能。

本发明授权散热基板及其制造方法、封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种散热基板，用于密封结构的散热，所述密封结构包括正面相对设置的器件芯片和盖帽、以及设置在所述器件芯片和所述盖帽之间的密封环，所述器件芯片包括衬底结构以及形成在该衬底结构上的至少两个器件单元，所述衬底结构从下至上依次包括第一衬底层、第三衬底层以及第二衬底层，所述第一衬底层内形成有至少一个第二导热孔结构，每一所述第二导热孔结构均包括贯穿所述第一衬底层厚度的第二通孔以及填充在所述第二通孔内的第二导热材料，每一所述器件单元从下至上依次包括下电极、压电层以及上电极，且每一所述器件单元与所述衬底结构之间形成有空腔，所述散热基板安装在所述器件芯片的背面，其特征在于，该散热基板包括： 多层结构，该多层结构从上至下依次包括顶导热层、基板本体以及底导热层，所述顶导热层形成在所述基板本体的正面，所述底导热层形成在所述基板本体的背面，其中，所述顶导热层包括第一导热区域和第一互联结构，所述第一导热区域在位置上与所述器件芯片中各器件单元一一对应，所述第一互联结构用于对所述第一导热区域进行互联，所述底导热层包括第二导热区域和第二互联结构，所述第二导热区域在位置上与所述器件芯片中各器件单元一一对应，所述第二互联结构用于对所述第二导热区域进行互联的第二互联结构； 至少一个第一导热孔结构，其中，每一所述第一导热孔结构均包括在厚度方向上贯穿所述多层结构的第一通孔、以及填充在该第一通孔内的第一导热材料； 第一连接部，该第一连接部形成在所述多层结构的正面，所述散热基板通过所述第一连接部连接至器件芯片的背面。

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