昭和电工材料株式会社黑田孝博获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100213.2，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法是由黑田孝博;名儿耶友宏;友利直己设计研发完成，并于2019-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种临时保护膜，其具备：支撑薄膜；及黏合层，设置于支撑薄膜的单面或两面上。支撑薄膜是聚酰亚胺薄膜。黏合层的厚度小于8μm。在形成密封搭载于具有芯片垫及内部引线的引线框的单面侧的半导体元件的密封层的密封成型期间，临时保护膜用于临时保护引线框的与半导体元件相反的一侧的面。
本发明授权临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种临时保护膜，其具备： 支撑薄膜；及 黏合层，设置于所述支撑薄膜的单面或两面上， 所述支撑薄膜是聚酰亚胺薄膜， 所述黏合层的厚度小于8μm， 所述黏合层含有： 选自芳香族聚酰胺、芳香族聚酯、芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚、芳香族聚醚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚酰胺、芳香族聚酯酰亚胺及芳香族聚醚酰亚胺中的至少一种有机聚合物；和 具有甲硅烷基及反应性基团的硅烷化合物， 所述硅烷化合物的含量相对于所述有机聚合物的量为15～35质量％， 在形成密封搭载于具有芯片垫及内部引线的引线框的单面侧的半导体元件的密封层的密封成型期间，所述临时保护膜用于临时保护所述引线框的与所述半导体元件相反的一侧的面， 并且，将所述临时保护膜以所述黏合层与所述引线框接触的方式粘贴在所述引线框上，在所述芯片垫的与所述临时保护膜相反的一侧的面上搭载半导体元件，接着将所述半导体元件、所述引线框及所述临时保护膜在240℃下加热3小时之后，在形成与所述黏合层接触并且对所述半导体元件进行密封的密封层时，所述黏合层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在180℃下为600Nm以下。
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