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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110022665.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由大野哲也;吉冈启;杉山亨;洪洪;矶部康裕;小林仁设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供可靠性优异的半导体装置，从下到上具备：第一氮化物半导体层、带隙更大的第二氮化物半导体层、电连接于第一氮化物半导体层的第一电极，还具备：第一氮化物半导体层之上且与其电连接的第二电极；第一电极与第二电极间的栅极电极；栅极电极上且与其电连接的栅极场板电极；第一场板电极，位于第二氮化物半导体层上且栅极场板电极与第二电极间，与第一电极电连接；以及位于第一场板电极与栅极场板电极间且与第一电极电连接的第二场板电极。第二场板电极的底面与第一氮化物半导体层的距离，比栅极场板电极的最向第二电极侧突出的部分的底面与第一氮化物半导体层的距离短，比第一场板电极的第一电极侧的端面的底部与第一氮化物半导体层的距离短。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一氮化物半导体层； 第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层的表面之上，相比于所述第一氮化物半导体层，带隙更大； 第一电极，位于所述第二氮化物半导体层之上，电连接于所述第一氮化物半导体层； 第二电极，位于所述第一氮化物半导体层之上，电连接于所述第一氮化物半导体层； 具有平坦部分的栅极电极，在与所述第一氮化物半导体层的表面平行的第一方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间； 栅极场板电极，位于所述栅极电极上，与所述栅极电极电连接，所述栅极场板电极具有在与所述第一氮化物半导体层的表面垂直的第二方向上位于所述栅极电极的正上方的中央部分； 第一场板电极，在所述第二方向上位于所述第二氮化物半导体层上，并在所述第一方向上位于所述栅极场板电极与所述第二电极之间，与所述第一电极电连接；以及 第二场板电极，包括上平面部分和在所述第二方向上从所述上平面部分朝向所述第一氮化物半导体层延伸的突出部分，所述突出部分在所述第一方向上位于所述第一场板电极与所述栅极场板电极之间，与所述第一电极电连接， 所述第二场板电极的所述突出部分的底面与所述第一氮化物半导体层的距离，比所述栅极场板电极的在所述第一方向上最向所述第二电极侧突出的最外端部分的底面与所述第一氮化物半导体层的距离短， 所述第二场板电极的所述突出部分的底面与所述第一氮化物半导体层的距离大于零，但比所述第一场板电极的所述第一电极侧的端面的底部与所述第一氮化物半导体层的距离短， 所述第二场板电极的所述突出部分的所述底面隔着层间绝缘层而与所述第二氮化物半导体层分离， 所述栅极电极的所述平坦部分的端部在所述第二方向上与所述第二场板电极的所述突出部分重叠，并且在所述第二方向上位于所述第二场板电极的所述突出部分与所述第二氮化物半导体层之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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