铠侠股份有限公司志摩真也获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法以及半导体制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110197461.2，技术领域涉及：H10P54/92；该发明授权半导体装置的制造方法以及半导体制造装置是由志摩真也设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及半导体制造装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。通过一个实施方式，提供半导体装置的制造方法。制造方法包括将基板粘贴于片材。制造方法包括对基板进行分割而单片化为多个芯片。制造方法包括扩展片材而扩大多个芯片的间隔。制造方法包括将多个芯片各自的主面及侧面用树脂覆盖并密封而形成密封体。制造方法包括形成层叠有多个密封体而成的层叠体。多个密封体包括第一密封体及第二密封体。形成层叠体包括：在第二密封体中的芯片的位置相对于第一密封体中的芯片的位置在平面方向上偏移的状态下，将第二密封体层叠于第一密封体之上。
本发明授权半导体装置的制造方法以及半导体制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序： 将基板粘贴于片材； 对所述基板进行分割而单片化为多个芯片； 扩展所述片材以扩大所述多个芯片的间隔； 用绝缘膜覆盖所述多个芯片各自的主面及侧面而形成密封体；以及 形成层叠有多个所述密封体而成的层叠体， 所述多个密封体包括第一密封体及第二密封体， 形成所述层叠体的工序包括如下工序：在所述第二密封体中的芯片的位置相对于所述第一密封体中的芯片的位置在平面方向上偏移的状态下，将所述第二密封体层叠于所述第一密封体之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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