三星电子株式会社郑夛恽获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111429771.9，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权三维半导体存储器件及其制造方法是由郑夛恽;李星勋;尹石重;朴玄睦;申重植;尹永培设计研发完成，并于2017-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了制造三维3D半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构；在薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，上结构在连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构；形成掩模图案，掩模图案暴露上结构的第一阶梯结构和第二阶梯结构在连接区上的一部分以及薄层结构在连接区上的一部分；以及使用掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻上结构的一部分和薄层结构的一部分。
本发明授权三维半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造三维半导体存储器件的方法，所述方法包括： 在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构； 在所述薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，所述上结构在所述连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于所述第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构； 形成掩模图案，所述掩模图案暴露所述上结构的所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构在所述连接区上的一部分以及所述薄层结构在所述连接区上的一部分；以及 使用所述掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻所述上结构的一部分和所述薄层结构的一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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