夏普福山半导体株式会社井口胜次获国家专利权
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龙图腾网获悉夏普福山半导体株式会社申请的专利图像显示元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111003162.7，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权图像显示元件是由井口胜次;河西秀典;安西伸介设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像显示元件在说明书摘要公布了：图像显示元件中，包括：呈阵列状排列的多个微型发光元件；以及半导体层，其在所述多个微型发光元件的每一个上配置有供给电流来使其发光的驱动电路，在所述半导体层的第一面配置有构成所述驱动电路的晶体管和布线层，在所述半导体层的与所述第一面相反侧的第二面配置有所述多个微型发光元件，所述晶体管和所述布线层通过贯通所述半导体层的贯通电极与所述微型发光元件电连接。
本发明授权图像显示元件在权利要求书中公布了：1.一种图像显示元件，其包括： 呈阵列状排列的多个微型发光元件；以及 半导体层，其在所述多个微型发光元件的每一个上配置有供给电流来使其发光的驱动电路，所述图像显示元件的特征在于， 在所述半导体层的第一面配置有构成所述驱动电路的晶体管和布线层， 在所述半导体层的与所述第一面相反侧的第二面配置有所述多个微型发光元件， 所述晶体管和所述布线层通过贯通所述半导体层的贯通电极与所述微型发光元件电连接， 所述半导体层吸收所述微型发光元件发出的光，所述半导体层形成的厚度使得该光不到达构成所述驱动电路的所述晶体管， 在所述第一面上，所述贯通电极与N型扩散层或P型扩散层直接连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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