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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110156277.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法是由足立昂拓设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能够在不扩大截面面积的情况下形成贯通指定膜的柱状体的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：多个柱状体，贯通指定膜；以及梁部，到达指定膜的比多个柱状体浅的指定深度，以窄于多个柱状体的宽度连结多个柱状体。

本发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制造方法，包括： 形成指定膜作为第1积层体，所述第1积层体中交替积层着多个第1绝缘层与多个第2绝缘层； 形成贯通所述指定膜的多个孔； 对所述多个孔、以及以窄于所述多个孔的宽度连结所述多个孔的槽进行蚀刻加工到所述指定膜的指定深度； 在所述多个孔的侧壁及所述槽的侧壁形成侧壁层，将所述槽封闭； 对所述多个孔进一步进行蚀刻加工，使其贯通所述指定膜；其中 在形成贯通所述指定膜的所述多个孔时，形成一对第1狭缝以及一对第2狭缝而贯通所述第1积层体， 以第3绝缘层覆盖所述第1狭缝的侧壁，经由所述第2狭缝使所述第1绝缘层的去除液渗透到所述第1积层体内，去除所述第1绝缘层， 使所述去除液未到达2个所述第1狭缝之间的区域而结束去除所述第1绝缘层的处理，在2个所述第1狭缝之间的所述第1积层体，不去除地残留所述第1绝缘层，且在去除了所述第1绝缘层的间隙填充导电材料气体而形成第1导电层，形成交替积层着所述第1导电层与所述第2绝缘层的第2积层体， 在所述第2狭缝的侧壁形成第4绝缘层，在所述第4绝缘层的内侧填充第2导电层，而形成接点， 以所述第3绝缘层填充所述第1狭缝的内部，而形成障壁层， 所述一对第1狭缝具有沿着所述第1积层体的各个层的面的长度方向，且具有比所述槽的宽度宽的宽度， 所述一对第2狭缝在第1方向上具有长度方向，且在与所述一对第1狭缝分离而位在所述一对第1狭缝的两侧的位置，具有比所述槽的所述宽度宽的宽度。

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