美光科技公司M·J·巴克利获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于防止块提升的NAND闪存块架构增强获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110862146.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权用于防止块提升的NAND闪存块架构增强是由M·J·巴克利;M·图尼克设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于防止块提升的NAND闪存块架构增强在说明书摘要公布了：本申请涉及NAND闪存块架构增强以防止块提升。公开一种三维存储器装置。在一个实施例中，公开一种装置，所述装置包括：源极板；插塞，其在所述源极板上制造或部分地形成于所述源极板中；堆叠，其形成于衬底及插塞上，所述堆叠包括交替的绝缘层及导电层，及延伸穿过所述绝缘层及导电层的存储器单元的沟道材料串；由一种工艺形成的第一组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第一组支柱中的每个支柱在多个插塞中的相应插塞顶上终止；及由一种工艺形成的第二组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第二组支柱中的每个支柱在所述源极板中终止。
本发明授权用于防止块提升的NAND闪存块架构增强在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 源极板； 多个插塞，其在所述源极板上制造或至少部分地形成于所述源极板中； 堆叠，其形成于所述源极板及多个插塞上，所述堆叠包括交替的绝缘层及导电层； 由一种工艺形成的第一组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第一组支柱中的每个支柱在所述多个插塞中的相应插塞顶上终止，并且形成延伸穿过所述绝缘层及导电层的沟道材料存储器单元串；及 由一种工艺形成的第二组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第二组支柱中的每个支柱在所述源极板中终止。
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