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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的接触件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110377051.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件的接触件及其形成方法是由林孟汉;杨世海;徐志安设计研发完成，并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的接触件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道区域之上；第二沟道区域，在衬底中与第二源极漏极区域相邻，第二沟道区域的顶表面低于第一沟道区域的顶表面；第二栅极，在第二沟道区域之上；ILD，在第一栅极和第二栅极之上；第一接触件，其延伸穿过ILD并且耦合到第一源极漏极区域；以及第二接触件，其延伸穿过ILD、耦合到第二源极漏极区域、并且具有大于第一接触件的宽度的宽度和大于第一接触件的高度的高度。

本发明授权半导体器件的接触件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一沟道区域，所述第一沟道区域在半导体衬底中与第一源极漏极区域相邻； 第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠在所述第一沟道区域之上； 第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述半导体衬底中与第二源极漏极区域相邻，其中，所述第二沟道区域的顶表面被设置为低于所述第一沟道区域的顶表面； 第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述第二沟道区域之上； 层间电介质ILD，所述ILD在所述第一栅极堆叠、所述第二栅极堆叠、所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域之上； 第一源极漏极接触件，所述第一源极漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第一源极漏极区域，所述第一源极漏极接触件具有第一宽度和第一高度； 第二源极漏极接触件，所述第二源极漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第二源极漏极区域，所述第二源极漏极接触件具有大于所述第一宽度的第二宽度和大于所述第一高度的第二高度； 第一栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第一栅极堆叠；以及 第二栅极接触件，所述第二栅极接触件电耦合到所述第二栅极堆叠，所述第一栅极接触件具有第三宽度和第三高度，所述第二栅极接触件具有等于所述第三宽度的第四宽度和等于所述第三高度的第四高度。

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