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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111299325.0，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆是由张丽;于子呈;姜春宇;于国浩;张宝顺设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆。所述晶圆级金属扩散键合方法包括：在第一晶圆的第一表面形成第一键合金属层，所述第一键合金属层包括形成第一形变层金属以及第一钝化层金属；在第二晶圆的第二表面形成第二键合金属层，所述第二键合金属层包括第二形变层金属以及第二钝化层金属；至少对所述第一钝化层金属、第二钝化层金属进行等离子体表面活化处理将所述第一键合金属层与第二键合金属层相贴合，采用热压键合的方式至少使所述第一钝化层金属与第二钝化层金属结合为一体。本发明实施例提供的晶圆级金属扩散键合方法，克服了Al‑Al或Cu‑Cu键合键合金属层表面氧化的问题，降低了键合温度。

本发明授权低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级金属扩散键合方法，其特征在于包括： 在第一晶圆的第一表面形成第一键合金属层，所述第一键合金属层包括形成在所述第一表面的第一形变层金属以及形成在所述第一形变层金属表面的第一钝化层金属； 在第二晶圆的第二表面形成第二键合金属层，所述第二键合金属层包括形成在所述第二表面的第二形变层金属以及形成在所述第二形变层金属表面的第二钝化层金属，所述第一形变层金属和第二形变层金属包括铜或铝，所述第一钝化层金属和第二钝化层金属的材质包括金； 至少对所述第一钝化层金属、第二钝化层金属进行等离子体表面活化处理，所述等离子体表面活化处理所采用的等离子体包括惰性气体的等离子体，所述等离子体表面活化处理的时间为0-5min，等离子体的功率0-200W； 将所述第一键合金属层与第二键合金属层相贴合，于150-300℃、真空环境下将所述第一钝化层金属与第二钝化层金属热压键合为一体，其中，热压键合的压力为0.4-2MPa、时间为30-50min。

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