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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113853680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080000320.0，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权显示基板及显示装置是由李大超设计研发完成，并于2020-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板及显示装置。该显示基板包括衬底基板以及在该衬底基板上的子像素，子像素包括像素电路，像素电路包括数据写入子电路、存储子电路、驱动子电路和电阻器，电阻器连接于发光元件与驱动子电路之间，电阻器与驱动子电路的控制电极同层绝缘设置，且电阻器的电阻率高于驱动子电路的控制电极的电阻率。该显示基板对于解决该像素电路的失效问题有较好的效果。

本发明授权显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括衬底基板以及在所述衬底基板上的多个子像素，其中，所述多个子像素沿第一方向和第二方向分布为阵列，所述第一方向与所述第二方向相交；每个子像素包括像素电路，所述像素电路包括数据写入子电路、存储子电路、驱动子电路和电阻器， 所述数据写入子电路与所述存储子电路的第一端电连接，并配置为响应于控制信号将数据信号传输至所述存储子电路的第一端， 所述驱动子电路包括控制电极、第一电极和第二电极，所述驱动子电路的控制电极与所述存储子电路的第一端电连接，所述驱动子电路的第一电极配置为接收第一电源电压，所述驱动子电路的第二电极及所述电阻器的第一端电连接； 所述电阻器的第二端用于与发光元件的第一电极电连接，所述驱动子电路配置为响应于所述存储子电路的第一端的电压驱动所述发光元件发光； 所述电阻器与所述驱动子电路的控制电极同层绝缘设置，且所述电阻器的电阻率高于所述驱动子电路的控制电极的电阻率； 所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极和所述第二电容电极分别作为所述存储子电路的第一端和第二端； 所述数据写入子电路包括第一数据写入晶体管，所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述第一数据写入晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述驱动晶体管为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管； 所述衬底基板为硅基板，所述硅基板包括P型掺杂区作为所述驱动晶体管的沟道区，所述硅基板包括N型掺杂区作为所述第一数据写入晶体管的沟道区； 在所述第二方向上，所述P型的第一数据写入晶体管和所述N型的驱动晶体管位于所述存储电容的相对两侧。

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