应用材料公司薛林获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111107385.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法是由薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军设计研发完成，并于2016-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器STT‑MRAM应用中使用的磁隧道结MTJ结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
本发明授权用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用来在基板上形成磁隧道结结构的膜堆叠体，所述膜堆叠体包括： 钉扎层，所述钉扎层设置在所述基板上，其中所述钉扎层包括多个层，所述多个层包括Co层、Pt层、Ta层和Ru层； 结构去耦合层，所述结构去耦合层包括Mo或W或Mo和W两者，所述结构去耦合层设置在所述钉扎层上； 磁基准层，所述磁基准层设置在所述结构去耦合层上，其中所述磁基准层包括硼元素，其中所述磁基准层具有约10％到约30％的硼的组分； 隧穿阻挡层，所述隧穿阻挡层设置在所述磁基准层上； 磁存储层，所述磁存储层设置在所述隧穿阻挡层上； 帽盖层，所述帽盖层设置在所述磁存储层上； 侧壁钝化层，所述侧壁钝化层共形地与所述基板的顶表面直接接触，其中所述侧壁钝化层具有垂直部分和水平部分，所述垂直部分沿着与所述基板的主轴垂直的垂直轴连续地共面，所述水平部分与所述基板直接接触；以及 绝缘层，所述绝缘层形成在所述侧壁钝化层上并与所述侧壁钝化层直接接触，其中所述绝缘层从所述侧壁钝化层的顶表面向所述侧壁钝化层的水平部分延伸。
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