索尼半导体解决方案公司坂直树获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080035657.5，技术领域涉及：H04N25/77；该发明授权摄像装置是由坂直树;森茂贵;冈本晋太郎;中川进次设计研发完成，并于2020-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像装置在说明书摘要公布了：根据本发明实施例的第一摄像装置包括第一基板、第二基板和贯通配线。所述第一基板包括：设置在第一半导体基板中的用于构成传感器像素的光电转换部和第一晶体管。所述第二基板层叠在所述第一基板上，且包括：设置在具有与所述第一基板相对着的一个表面的第二半导体基板中的用于构成所述传感器像素的第二晶体管及在层叠方向上贯穿所述第二半导体基板的开口。所述第二基板具有用于调整所述第二晶体管的阈值电压的调整部，所述调整部形成在所述开口的位于所述第二晶体管的栅极附近的侧面上和或所述第二半导体基板的所述一个表面的与所述第一晶体管相对着的区域上。所述贯通配线设置在所述开口内，用于将所述第一基板和所述第二基板电气连接。
本发明授权摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，包括： 第一基板，所述第一基板包括设置在第一半导体基板中的光电转换部和第一晶体管，所述光电转换部和所述第一晶体管用于构成传感器像素； 第二基板，所述第二基板层叠在所述第一基板上，所述第二基板包括设置在具有与所述第一基板相对着的一个表面的第二半导体基板中的第二晶体管和开口，所述第二晶体管用于构成所述传感器像素，所述开口在层叠方向上贯穿所述第二半导体基板，所述第二基板具有用于调整所述第二晶体管的阈值电压的调整部，所述调整部被形成在所述开口的在与所述第二晶体管的栅极、源极及漏极排列的第一方向不同的第二方向上位于所述第二晶体管的所述栅极附近的侧面上，并且被形成在所述第二半导体基板的所述一个表面的与所述第一晶体管相对着的区域上；以及 贯通配线，所述贯通配线设置在所述开口内，用于将所述第一基板和所述第二基板电气连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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