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龙图腾网获悉日亚化学工业株式会社申请的专利半导体元件的制造方法以及半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113770549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556151.5，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权半导体元件的制造方法以及半导体元件是由山口一树;住友新隆设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件的制造方法以及半导体元件在说明书摘要公布了：本发明提供半导体元件的制造方法以及半导体元件，在割断基板时能够抑制基板缺口。半导体元件的制造方法包括：第一照射工序，从第一面侧向基板的内部照射激光，在基板的内部形成沿着第一方向排列的多个第一改性部；第二照射工序，向在第二方向上自第一改性部偏离的位置照射激光，在多个第一改性部的第二方向上的相邻位置形成沿着第一方向排列的多个第二改性部；第三照射工序，从第一面侧沿着第一方向中照射激光，在比第一改性部更偏向第一面侧、且是在基板的厚度方向上与多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部。在第三改性部的第二方向上的相邻位置且是在基板的厚度方向上与第二改性部重合的位置不形成改性部。

本发明授权半导体元件的制造方法以及半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制造方法，其中，包括如下工序： 第一照射工序，沿着与具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面的基板的所述第一面平行的第一方向从所述第一面侧，向所述基板的内部照射激光，在所述基板的内部形成沿着所述第一方向排列的多个第一改性部、和从所述第一改性部至少朝向所述第一面延伸的裂缝； 第二照射工序，在所述第一照射工序之后，从所述第一面侧，向在与所述第一方向交叉且与所述第一面平行的第二方向上自所述第一改性部偏离的位置照射激光，在所述多个第一改性部的所述第二方向上的相邻位置形成沿着所述第一方向排列的多个第二改性部； 第三照射工序，在所述第二照射工序之后，从所述第一面侧沿着所述第一方向照射激光，在比所述第一改性部更偏向第一面侧、且是在所述基板的厚度方向上与所述多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部； 在所述第三照射工序之后，利用按压部件从所述第二面侧按压所述基板来割断所述基板的工序； 在所述第三改性部的所述第二方向上的相邻位置且是在所述基板的厚度方向上与所述第二改性部重合的位置不形成改性部。

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