买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193168.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法是由西村武义设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够简便地形成SJ结构，并且能够降低成本的超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法。具有供电流流通的有源区30和终端结构部40的半导体装置的制造方法包括第一到第八工序。第一工序在第一导电型的半导体基板1的正面形成第一导电型的第一半导体层2。第二工序形成第一沟槽。第三工序在第一半导体层2的表面以及第一沟槽内形成杂质浓度比第一半导体层2的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层27。第四工序形成并列pn结构20。第五工序形成第二沟槽18B。第六工序形成第二导电型的第二半导体区域5。第七工序形成栅绝缘膜7以及栅电极8。第八工序形成第一导电型的第一半导体区域6。

本发明授权超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结半导体装置的制造方法，其特征在于，所述超结半导体装置具有供电流流通的有源区和配置于所述有源区的外侧并且形成有耐压结构的终端结构部，所述耐压结构包围所述有源区的周围， 所述制造方法包括： 第一工序，在第一导电型的半导体基板的正面形成第一导电型的第一半导体层，所述第一半导体层的杂质浓度低于所述半导体基板的杂质浓度； 第二工序，从所述第一半导体层的表面形成第一沟槽； 第三工序，在所述第一半导体层的表面以及所述第一沟槽内形成第一导电型的第二半导体层，所述第二半导体层的杂质浓度低于所述第一半导体层的杂质浓度； 第四工序，在所述第二半导体层注入成为第二导电型的杂质，由此在所述第二半导体层的内部形成第二导电型的阱区，并且形成并列pn结构，所述并列pn结构是第一导电型的第一柱和第二导电型的第二柱在与所述正面平行的方向上反复交替地配置而成的结构，所述第二柱的上表面与所述阱区的底面相接； 第五工序，形成贯穿所述第二半导体层并到达所述第一柱的第二沟槽； 第六工序，在所述有源区的所述并列pn结构的表面上形成第二导电型的第二半导体区域； 第七工序，在所述第二沟槽的内部形成栅绝缘膜以及栅电极；以及 第八工序，在所述有源区的所述第二半导体区域的表面层选择性地形成第一导电型的第一半导体区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。