三星电子株式会社朴京恩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110055063.7，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权三维半导体存储器装置是由朴京恩;沈载株;禹东城;林钟光;张在薰设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区和连接区；交替地堆叠在衬底上的多个电极间电介质层和多个电极层，其中，所述多个电极层的端部在连接区上形成台阶形状；平面化的电介质层，其位于连接区上，并且覆盖所述多个电极层的端部；以及第一异常伪竖直图案，其位于连接区上，并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上穿过平面化的电介质层。所述多个电极层中的至少一个设置在第一异常伪竖直图案与衬底之间，并且与第一异常伪竖直图案绝缘。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，包括： 衬底，其包括单元区和连接区； 交替地堆叠在所述衬底上的多个电极间电介质层和多个电极层，所述多个电极层的端部在所述连接区上形成台阶形状； 平面化的电介质层，其位于所述连接区上，所述平面化的电介质层覆盖所述多个电极层的端部；以及 第一异常伪竖直图案，其位于所述连接区上，所述第一异常伪竖直图案在垂直于所述衬底的顶表面的第一方向上穿过所述平面化的电介质层， 其中，所述多个电极层中的至少一个电极层设置在所述第一异常伪竖直图案与所述衬底之间，并且所述第一异常伪竖直图案通过包围其底表面和侧表面的栅极电介质层与所述至少一个电极层绝缘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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