三星电子株式会社梁宇成获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括支撑件的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011336334.8，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权包括支撑件的半导体装置及其制造方法是由梁宇成;金志荣;金智源设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括支撑件的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元区和连接区。连接区包括多个焊盘区和贯穿电极区。水平导电层位于衬底上。支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。
本发明授权包括支撑件的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其包括单元区和与所述单元区连接的连接区，所述连接区包括多个焊盘区和位于所述多个焊盘区之间的贯穿电极区； 水平导电层，其位于所述衬底上； 支撑件，其位于所述水平导电层上，所述支撑件包括所述单元区中的第一部分、所述多个焊盘区中的第二部分和所述贯穿电极区中的第三部分； 连接导电层，其位于所述支撑件的第一部分与所述水平导电层之间； 连接模制层，其位于所述支撑件的第三部分与所述水平导电层之间； 第一埋置绝缘层，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第三部分、所述连接模制层和所述水平导电层； 单元沟道结构，其位于所述单元区中以穿过其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构和所述第一部分，并且延伸到所述水平导电层的内部；以及 贯穿电极，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第一埋置绝缘层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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