台湾积体电路制造股份有限公司刘威民获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶体管的源极/漏极外延层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176793.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权晶体管的源极/漏极外延层是由刘威民;舒丽丽;杨育佳设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管的源极/漏极外延层在说明书摘要公布了：本公开涉及晶体管的源极漏极外延层。本公开涉及用于形成具有六边形形状的源极漏极SD外延结构的方法。该方法包括形成鳍结构，该鳍结构包括第一部分和靠近第一部分的第二部分，在鳍结构的第一部分上形成栅极结构，以及使鳍结构的第二部分凹陷。该方法还包括在鳍结构的凹陷的第二部分上生长SD外延结构，其中，生长SD外延结构包括将鳍结构的凹陷的第二部分暴露于前体和一种或多种反应气体以形成SD外延结构的部分。生长SD外延结构还包括将SD结构的部分暴露于蚀刻化学物质以及将SD外延结构的该部分暴露于氢处理以增强SD外延结构的生长。
本发明授权晶体管的源极/漏极外延层在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 衬底； 鳍结构，在所述衬底上，所述鳍结构包括第一部分和高于所述第一部分的第二部分； 隔离层，所述隔离层在所述衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍结构的第二部分的底部侧壁和所述鳍结构的第一部分的侧壁；以及 源极漏极SD外延结构，所述SD外延结构生长在所述鳍结构的第一部分上，其中，所述SD外延结构具有氢端接的表面，所述SD外延结构在所述氢端接的表面上沿着垂直于111晶面的第一晶向的厚度大于沿着垂直于100晶面的第二晶向的厚度，并且所述SD外延结构的小平面到所述鳍结构的第二部分的顶角的距离大于2nm。
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