三星电子株式会社朴正敏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113036037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011099855.6，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朴正敏;金海龙;朴影根设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO33，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数。介电层包括CDO33，其中“C”是第三金属元素，并且“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层。第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。介电层在与第二层对应的第一接触表面处与下电极接触。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板；以及 电容器，在所述基板上，所述电容器包括顺序地堆叠在所述基板上的下电极、介电层和上电极， 其中，所述下电极包括ABO3，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，所述第二金属元素的功函数大于所述第一金属元素的功函数； 所述介电层包括CDO3，其中“C”是第三金属元素，“D”是第四金属元素； 所述下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层； 所述第一层包括所述第一金属元素和氧； 所述第二层包括所述第二金属元素和氧；以及 所述介电层在第一接触表面处与所述下电极接触，所述第一接触表面与所述第二层相对应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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