株式会社电装奥村谦太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利碳化硅半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071147.1，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权碳化硅半导体器件及其制造方法是由奥村谦太郎;大岳秀和;束原肇;渡边行彦设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法。从n++型SiC衬底1的背面1b的表面，即背面1b与漏电极11之间的界面开始的漏电极11的不平高度H1小于1.0μm。具体而言，使用顶帽型激光进行漏电极11的激光退火，将漏电极11的不平高度H1设定为小于1.0μm。因此，弯曲强度为1000MPa以上，并且可以抑制元件强度的下降，可以提供可靠性提高的SiC半导体器件。
本发明授权碳化硅半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件，包括： 具有正面1a和背面1b的碳化硅半导体衬底1；和 多个欧姆电极11，其与在所述碳化硅半导体衬底的所述正面和所述背面中至少一个上的碳化硅表面欧姆接触，其中： 所述多个欧姆电极分散在所述碳化硅表面上以提供凹陷和凸起； 所述凹陷和凸起具有小于1.0μm的因所述欧姆电极导致的高度H1， 包括NiSi和设置在所述NiSi内部的MoC的每个欧姆电极提供单个颗粒； 由所述NiSi和所述MoC构成的多个颗粒分散在所述碳化硅半导体衬底的表面上；以及 所述多个颗粒提供所述凹陷和凸起。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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