买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010857182.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法是由胁本节子设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制势垒金属的剥离、裂纹的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜10上表面设置有反映沟槽5内部的栅电极7上表面的凹陷7a的第一凹部10a。在层间绝缘膜10的上表面与侧面的边界处设置有将层间绝缘膜10的侧面上端以扇状去除而成的第二凹部10b。在层间绝缘膜10表面形成由第一凹部、第二凹部10a、10b引起的凸部10e、10f，通过第一凹部、第二凹部10a、10b和凸部10e、10f反复设置有3个以上的凹凸。层间绝缘膜10表面的凸部10e、10f的顶点的角度θ1、θ2为100°以上的钝角。覆盖层间绝缘膜10的势垒金属12具有反映层间绝缘膜10表面的凹凸而成的凹凸。

本发明授权碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备： 第一导电型的第一半导体区，其设置在半导体基板的内部； 第二导电型的第二半导体区，其与所述第一半导体区接触而设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一半导体区之间； 第一导电型的第三半导体区，其与所述第二半导体区接触而选择性地设置在所述半导体基板的第一主面与所述第二半导体区之间； 沟槽，其从所述半导体基板的第一主面起贯穿所述第三半导体区及所述第二半导体区而到达所述第一半导体区； 栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于所述沟槽的内部； 层间绝缘膜，其覆盖所述栅电极； 接触孔，其沿深度方向贯穿所述层间绝缘膜而到达所述半导体基板； 第一电极，其设置于所述层间绝缘膜的表面，并在所述接触孔的内部与所述第二半导体区及所述第三半导体区连接；以及 第二电极，其与所述第一半导体区电连接， 在所述层间绝缘膜的表面彼此分开地设置有3个以上的凹部， 所述层间绝缘膜的表面呈使3个以上的凹凸反复而成的形状，所述凹凸由所述凹部和凸部引起，所述凸部以所述凹部的内壁与该凹部之间的表面的边界为顶点， 所述第一电极具有： 第一电极膜，其在所述接触孔的内部与所述第二半导体区及所述第三半导体区欧姆接触； 第二电极膜，其沿着所述第一电极膜的表面及所述层间绝缘膜的表面而设置，且含有钛；以及 第三电极膜，其设置于所述第二电极膜的表面，且含有铝， 所述第二电极膜呈凹凸形状，该凹凸形状是反映所述层间绝缘膜的表面的由所述凹部引起的凹凸而成， 所述层间绝缘膜的表面的由所述凹部引起的凹凸的高低差为0.1μm以上且小于0.5μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。